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Transiente Strukturen spielen eine Schl\xfcsselrolle f\xfcr das Verst\xe4ndnis molekularer Reaktionen. Lasergetriebene Plasma-R\xf6ntgenquellen bieten die M\xf6glichkeit, die Dynamik solcher Strukturen mit einer Zeitaufl\xf6sung im Sub-Pikosekundenbereich durch Anlagen im Ma\xdfstab eines normalen Universit\xe4t-Laserlabors zu verfolgen. In dieser Arbeit wird Aufbau, Charakterisierung und Optimierung einer solchen R\xf6ntgenquelle mit einer Photonenenergie von 8 keV, ihre Integration in einen Anrege-Abtast-Aufbau und erste Experimente beschrieben.\nDie Anlage wurde speziell f\xfcr Experimente an molekularen Kristallen entworfen, die eine m\xf6glichst hohe Anzahl an R\xf6ntgenphotonen pro Impuls erfordern und f\xfcr einen unterbrechungsfreien Betrieb von bis zu acht Stunden bei 10 Hz ausgelegt. Polarisation, Einfallswinkel, Chirp und B\xfcndeldurchmesser der Laserimpulse, welche die R\xf6ntgenstrahlung erzeugen, wurden optimiert. So k\xf6nnen bis zu 3e10 R\xf6ntgenphotonen pro Sterad und Laserimpuls mit einem Rauschen der Anzahl der R\xf6ntgenphotonen von ca. 5 Prozent produziert werden. Dazu wurde auch eine neue Methode entwickelt, um die Optiken der R\xf6ntgenerzeugung vor Debris zu sch\xfctzen. F\xfcr die Dauer der R\xf6ntgenimpulse l\xe4sst sich aus den Anrege-Abtast-Experimenten eine Obergrenze von wenigen Pikosekunden festlegen.\nF\xfcr die Anrege-Abtast-Experimente mit Anregung im sichtbaren Spektralbereich und Abtastung im harten R\xf6ntgenbereich wurde ein Referenzierungsverfahren entwickelt, das bei einer Messzeit von etwa zehn Minuten pro Datenpunkt das Rauschen auf weniger als 0,2 Prozent reduziert. Es basiert auf hoch-orientiertem pyrolytischen Graphit (HOPG) als Referenzprobe. Eine Bestimmung des zeitlichen Nullpunkts dieser Experimente konnte mit transienter R\xf6ntgenbeugung an Gallium-Arsenid f\xfcr verschiedene Anregungswellenl\xe4ngen im sichtbaren Spektralbereich erreicht werden.\nErste Testmessungen an 4-(Diisopropylamino)-benzonitril (DIABN) haben die Eignung der Anlage f\xfcr Messungen an Molek\xfclkristallen bewiesen, zeigen aber auch, dass die Photostabilit\xe4t der Proben noch die Anwendbarkeit begrenzt. In einem weiteren Experiment wurde das Verhalten von Gallium-Arsenid nach optischer Anregung untersucht. Dabei wurde durch einen ultrakurzen Laserimpuls mit 800 nm Wellenl\xe4nge eine Schockwelle induziert, die lokal das Gitter des Halbleiters ver\xe4ndert. Mittels transienter R\xf6ntgenbeugungsexperimente konnten Aufbau und Bewegung dieser Schockwelle \xfcber einen gro\xdfen Zeitbereich von 3 ns mit einer Aufl\xf6sung im Pikosekundenbereich verfolgt werden. F\xfcr den Aufbau der Schockwelle konnte eine charakteristische Zeitkonstante von 47 ps gefunden werden. Die Bewegung der Schockwelle ins Innere des Halbleiters aus dem durch R\xf6ntgenbeugung erfassten Volumen erfolgte mit einer Zeitkonstante von 0,61 ns in guter \xdcbereinstimmung mit theoretischen Absch\xe4tzungen. Bei einer Anregungswellenl\xe4nge von 400 nm wurde der Anstieg beschleunigt, w\xe4hrend die Abklingzeitkonstante unver\xe4ndert blieb.